En poursuivant votre navigation sur ce site, vous acceptez l'utilisation de cookies pour vous proposer des contenus et services adaptés à vos centres d'intérêts. En savoir plus et gérer ces paramètres. OK X
 
 

 

 

Actualité des entreprises

FD-SOI la technologie de référence pour les marchés du mobile et de l’électronique grand public

Publication: Mai 2014

Partagez sur
 
L’annonce de cet accord confirme les performances de la technologie FD-SOI et valide la stratégie de croissance de Soitec dans le segment de la mobilité
 

Soitec, leader mondial dans la génération et la production de matériaux semi-conducteurs d’extrêmes performances pour l’électronique et l’énergie, se réjouit de la collaboration stratégique étendue annoncée hier par Samsung et STMicroelectronics.
Samsung bénéficie d’une licence auprès de STMicroelectronics pour la plate-forme technologique FDSOI en 28 nm, qui permet aux concepteurs de commencer sans attendre l’adoption de cette plate-forme pour la fabrication de circuits intégrés. Cette annonce valide le choix technologique stratégique de Soitec qui a très tôt décidé de développer un substrat spécifiquement dédié à la production de puces FD-SOI.
Elle représente également un tournant dans le déploiement industriel de la technologie FD-SOI et une étape majeure pour l’activité électronique de Soitec à venir sur les dix prochaines années.

« Nous sommes à la fois ravis de cette annonce et très fiers de proposer le produit qui sera demain au coeur de l’électronique de haute performance et de faible consommation d’énergie pour les utilisateurs de terminaux mobiles. Les marchés auxquels nous destinons ce produit contribueront fortement à la croissance de la division électronique de Soitec », déclare Paul Boudre, Directeur général délégué de Soitec. « Nos substrats FD-SOI constituent une innovation technologique majeure, issue de plus 10 ans de recherche continue et de maîtrise de la production industrielle à grande échelle. Forts de nos deux lignes de production et de notre stratégie de licence, nous disposons de la capacité d’approvisionnement nécessaire et sommes très heureux de pouvoir fournir le marché des semi-conducteurs en substrats intelligents, dans des volumes suffisants pour permettre le déploiement à grande échelle de la technologie FD-SOI ».

Pour Handel Jones, fondateur et CEO d’International Business Strategies Inc. (IBS), « Le noeud 28 nm aura une durée de vie considérable. Nous tablons sur environ 4,3 millions de substrats à l’horizon 2017, et le FD-SOI pourrait bien capter au moins 25 % de ce marché ».

« Notre technologie FD-SOI va permettre la conception et la commercialisation de produits exceptionnels, bénéficiant d’une performance élevée et d’une faible consommation d’énergie. Cela a été permis par la collaboration fructueuse en matière de R&D entre STMicroelectronics, le Leti et Soitec.
Cette collaboration va à présent évoluer vers la mise en place d’un vaste écosystème doté d’une chaîne d’approvisionnement »
indique Joël Hartmann, Executive Vice President , Front-End Manufacturing & Technology R&D, Solutions de traitement embarqué STMicroelectronics

« Le Leti entend développer des solutions qui répondent aux principales problématiques de la nanoélectronique numérique, en mariant efficacité énergétique et réduction des coûts. Notre stratégie à long terme de développement du FD-SOI illustre cet engagement et nous a permis d’obtenir des performances inégalées, notamment pour le noeud 28 nm. Le nouvel accord entre STMicroelectronics et Samsung est une étape majeure dans l’adoption de la technologie FD-SOI, car il élargit l’offre commerciale sur laquelle les concepteurs peuvent s’appuyer. Le Leti poursuit sa politique de développement de nouvelles générations, avec des résultats très prometteurs, tant sur le plan technologique que sur le plan conceptuel, pour les noeuds 14 nm et 10 nm », souligne Laurent Malier, Directeur général du CEA-Leti (Laboratoire d’électronique des technologies de l’information).

Depuis 2005, les efforts de R&D de Soitec ont essentiellement porté sur la génération de produits ultraminces et ont été en partie financés et facilités par le programme français des Investissements d’avenir. Depuis cette date, Soitec travaille avec plusieurs grands partenaires industriels pour amener sa gamme de produits FD-SOI à maturité. Une démarche qui a donné lieu à des efforts communs de R&D avec le CEA-Leti sur l’évolution et la mise au point de la technologie Smart Cut™, mais également à un développement conjoint avec IBM Microelectronics pour la validation du dispositif, et à une collaboration avec STMicroelectronics pour l’industrialisation et la démonstration des premiers produits. Désormais intégrée à l’offre fonderie de Samsung, la technologie FD-SOI bénéficiera d’un meilleur déploiement industriel.

Pour obtenir des résultats électriques aussi exceptionnels, la technologie FD-SOI s’appuie sur un matériau semi-conducteur de haute technicité sur lesquels sont fabriqués les composants électroniques. Ces substrats à base de silicium sont modifiés dans les quelques nanomètres utilisés dans la fonction électronique pour former une couche supérieure de silicium ultramince (dont l’uniformité est strictement contrôlée avec une précision de seulement quelques atomes) et d’une couche isolante elle aussi ultrafine qui la sépare du reste du substrat. Ces couches servent de base active au transistor final. Soitec s’appuie, pour réaliser de manière continue cette prouesse technique sur ses lignes de production, sur sa technologie Smart Cut.

Pour l’avenir, STMicroelectronics, le Leti et Soitec ont tracé la voie vers les nouveaux noeuds technologiques. Les partenaires affichent d’ores et déjà d’excellents résultats avec les substrats FD de deuxième génération, et envisagent l’industrialisation et la commercialisation rapides de la technologie FD-SOI de prochaine génération.

http://www.soitec.com

Suivez Industrie Mag sur le Web

 

Newsletter

Inscrivez-vous a la newsletter d'Industrie Mag pour recevoir, régulièrement, des nouvelles du site par courrier électronique.

Email: