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Nouveaux produits

ROHM Semiconductor présente des produits et concepts innovants

Publication: 27 septembre

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Structures avancées, gages d’une densité de puissance, d’une efficacité et d’une fiabilité optimales, Encombrement extrêmement réduit, Technologie de chargement sans fil, Nouveaux partenariats...
 

À l’occasion d’Electronica, le plus grand évènement professionnel dédié à l’électronique (Munich, 8-11 novembre 2016/Hall A5-stand 542), ROHM Semiconductor présentera des solutions de pointe de gestion de puissance destinées à de nombreuses applications dans les secteurs automobile, industriel, et résidentiel. En faisant appel aux toutes dernières technologies SiC et Si, mais également à des technologies exclusives de traitement et de conditionnement, ces composants optimisent l’efficacité et la compacité, ouvrant ainsi la voie en matière de réduction des coûts et de miniaturisation des composants tout en offrant des performances optimales. Grâce à l’expertise de ROHM en matière de technologie de puissance analogique et numérique, ils sont les résultats les plus avancés des centres mondiaux de R&D de l’entreprise et sont le fruit de partenariats établis avec différents acteurs de l’industrie. Tous ces produits sont fabriqués dans les sites de production propriétaires de l’entreprise. Les thèmes phares de l’événement comprendront, entre autres, la 3e génération de MOSFET, de diodes Schottky (SBD) et de modules SiC, des pilotes de DEL destinés à l’éclairage extérieur, des kits de conception utilisés pour la transmission de puissance sans fil, ou encore le partenariat technologique conclu avec le constructeur de véhicules électriques de Formule E, Venturi.

Produits phares

Technologie SiC –3e génération de MOSFET, de diodes Schottky et de modules SiC : En utilisant une structure exclusive « double trench gate », la nouvelle génération ROHM de MOSFET SiC réduit la résistance RDS(on) de 50 % et la capacité d’entrée de 35 % avec la même taille de puce par rapport aux MOSFET SiC « planar ». Un niveau de qualité optimal est ainsi atteint en associant une perte incroyablement faible à des performances de commutation extrêmement rapides. Ainsi, le rendement de conversion est amélioré, contribuant à assurer une miniaturisation supérieure, une réduction du poids et une meilleure efficacité énergétique.

La 3e génération de diodes Schottky SiC (SBD) présente la tension directe (VF) la plus basse et le plus faible courant de fuite inversé (lR) obtenus sur toute la plage de températures de l’ensemble des SBD SiC actuellement disponibles sur le marché. Elles affichent par ailleurs une grande capacité de gestion du courant de surcharge, idéale pour des applications d’alimentation. Outre les appareils TO220AC fonctionnant à 650 V/6, 8 et 10 A récemment annoncés, ROHM présentera également des dispositifs D2pak, qui viennent enrichir la gamme en proposant un fonctionnement à faible intensité (2 A et 4 A). Les nouveaux modules « full SiC » de ROHM, notamment un module de type « chopper » pour convertisseurs, intègrent à la fois les Trench SiC MOSFET et les SBD SiC.

Éclairage DEL extérieur conçu pour le secteur automobile

La large gamme de pilotes de DEL de ROHM est déployée dans de nombreuses applications automobiles pour l’éclairage tant intérieur qu’extérieur. Les phares DEL pour feux de croisement/de route, les feux avant dynamiques DEL Matrix/Pixel et les clignotants séquentiels dynamiques constituent les tout derniers développements en matière d’éclairage extérieur. L’entreprise fournit des pilotes de DEL utilisés dans les feux arrière et les feux de position. Plusieurs exemples d’application en démontrent les avantages, à l’image d’une démonstration de feux de croisement/de route, un exemple de feux de position (DRL), un projecteur Matrix ou encore 2 pilotes Matrix différents pour un système de clignotants séquentiel (un pilote Matrix autonome et un second commandé grâce à un microcontrôleur).

Kit de conception de moyenne puissance développé en collaboration avec Würth Elektronik et destiné à une application de chargement sans fil L’intérêt actuellement suscité par la technologie d’alimentation sans fil va grandissant, puisque cette dernière propose une méthode simple, pratique, fiable et sécurisée de chargement et d’alimentation d’ appareils électroniques comme les téléphones mobiles et les appareils électroniques portables utilisés de façon nomade.. Leader de cette technologie, ROHM Semiconductor propose une gamme complète de produits ciblant des applications de faible et moyenne puissance grâce à des solutions conformes à la norme Qi.. Afin de dévoiler ses solutions moyenne puissance certifiées Qi, ROHM lance, en collaboration avec Würth Elektronik, un kit de conception visant à démontrer tous les avantages du chargement sans fil. Il offre aux ingénieurs l’occasion unique de tester des solutions d’alimentation sans fil et de les intégrer dans leurs applications, tout en accélérant l’adoption de cette nouvelle technologie dans des utilisations liées au courant.. Le kit est fabriqué conformément à la spécification Qi 1.2. du Wireless Power Consortium (WPC), norme de nouvelle génération relative à la transmission de puissance inductive rapide et sécurisée.

Partenariat technologique avec Venturi Formule E

Dans le cadre de son partenariat technique récemment annoncé conclu avec Venturi, qui participe à la « série Formule E » de la FIA avec ses voitures de course monoplaces à moteur entièrement électrique, ROHM présentera le véhicule ainsi que son onduleur afin de démontrer ses avancées dans le domaine de l’e-mobilité.. Conformément à cet accord, le véhicule électrique construit par Venturi sera équipé de composants SiC. Dès la troisième saison, il accueillera dans son système d’onduleur des diodes Schottky SiC (SBD) conçues par ROHM. L’objectif vise à considérablement améliorer les performances du groupe motopropulseur en exploitant les caractéristiques SiC afin d’accroître l’efficacité énergétique et la densité de puissance.

http://www.rohm.com/

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